Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
PWMZ-V9S1T0BW
93,87 €
IVA ESCLUSA
1 TB M.2 PCI Express 4.0
Velocita di lettura: 7150 MB/s 850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Velocita di scrittura: 6300 MB/s 1350000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
V-NAND TLC NVMe 2.0
criptaggio hardware 256-bit AES
Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM
Componente per: PC
Velocita di lettura: 7150 MB/s 850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Velocita di scrittura: 6300 MB/s 1350000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
V-NAND TLC NVMe 2.0
criptaggio hardware 256-bit AES
Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM
Componente per: PC
Samsung MZ-V9S1T0. Capacita SSD: 1 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocita di lettura: 7150 MB/s, Velocita di scrittura: 6300 MB/s, Componente per: PC
PWMZ-V9S1T0BW
Scheda tecnica
- Capacita SSD
- 1 TB
- NVMe
- Si
- Dimensione SSD
- M.2
- Intervallo temperatura di funzionamento
- 0 - 70 C
- Dimensioni dell'unita SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
- Larghezza
- 80.2 mm
- Altezza
- 22.1 mm
- Peso
- 9 g
- Profondita
- 2.38 mm
- Velocita di lettura
- 7150 MB/s
- Velocita di scrittura
- 6300 MB/s
- criptaggio hardware
- Si
- Algoritmi di sicurezza supportati
- 256-bit AES
- Tipo memoria
- V-NAND TLC
- Interfaccia
- PCI Express 4.0
- Tempo medio tra guasti (MTBF)
- 1500000 h
- Componente per
- PC
- Lettura casuale (4KB)
- 850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
- Scrittura casuale (4KB)
- 1350000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
- Supporto S.M.A.R.T.
- Si
- Supporto TRIM
- Si
- Versione di NVMe
- 2.0
Riferimenti Specifici
- MPN
- MZ-V9S1T0BW