Samsung MZ-V9P1T0 M.2 PCI Express 4.0 V-NAND MLC
PWMZ-V9P1T0GW
125,31 €
IVA ESCLUSA
1 TB M.2 PCI Express 4.0
Velocita di lettura: 7450 MB/s 1200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Velocita di scrittura: 6900 MB/s 1550000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
V-NAND MLC NVMe 2.0
criptaggio hardware 256-bit AES
Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM
Componente per: PC
Velocita di lettura: 7450 MB/s 1200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Velocita di scrittura: 6900 MB/s 1550000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
V-NAND MLC NVMe 2.0
criptaggio hardware 256-bit AES
Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM
Componente per: PC
Samsung 990 PRO NVMe 1TB con Dissipatore di calore, SSD interno. Capacita SSD: 1 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocita di lettura: 7450 MB/s, Velocita di scrittura: 6900 MB/s, Componente per: PC
PWMZ-V9P1T0GW
Scheda tecnica
- Capacita SSD
- 1 TB
- NVMe
- Si
- Dimensione SSD
- M.2
- Intervallo temperatura di funzionamento
- 0 - 70 C
- Dimensioni dell'unita SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
- Larghezza
- 80 mm
- Altezza
- 24.3 mm
- Peso
- 28 g
- Profondita
- 8.2 mm
- Shock di funzionamento
- 1500 G
- Velocita di lettura
- 7450 MB/s
- Velocita di scrittura
- 6900 MB/s
- criptaggio hardware
- Si
- Algoritmi di sicurezza supportati
- 256-bit AES
- Tipo memoria
- V-NAND MLC
- Interfaccia
- PCI Express 4.0
- Tempo medio tra guasti (MTBF)
- 1500000 h
- Componente per
- PC
- Consumo energetico (medio)
- 5.4 W
- Lettura casuale (4KB)
- 1200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
- Scrittura casuale (4KB)
- 1550000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
- Consumo energetico (max)
- 7.8 W
- Supporto S.M.A.R.T.
- Si
- Tensione di esercizio
- 3.3 V
- Supporto TRIM
- Si
- Versione di NVMe
- 2.0
- Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)
- Si
Riferimenti Specifici
- MPN
- MZ-V9P1T0GW