Samsung 990 EVO 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

PWMZ-V9E1T0BW
70,91 €
IVA ESCLUSA
1 TB M.2 PCI Express 4.0
Velocita di lettura: 5000 MB/s
Velocita di scrittura: 4200 MB/s
V-NAND TLC NVMe 2.0
criptaggio hardware 256-bit AES
Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM
Componente per: Universale
Samsung 990 EVO. Capacita SSD: 1 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocita di lettura: 5000 MB/s, Velocita di scrittura: 4200 MB/s, Componente per: Universale
PWMZ-V9E1T0BW

Scheda tecnica

Algoritmi di sicurezza supportati
256-bit AES
Larghezza
80.2 mm
Altezza
2.38 mm
Profondita
22.1 mm
Intervallo temperatura di funzionamento
0 - 70 C
Peso
9 g
Intervallo di temperatura
-40 - 85 C
Umidita
5 - 95
Range di umidita di funzionamento
5 - 95
Consumo energetico (in sospensione)
0.005 W
Durata della garanzia
5 anno/i
Tipo di imballo
Scatola
Tempo medio tra guasti (MTBF)
1500000 h
Capacita SSD
1 TB
NVMe
Si
Dimensione SSD
M.2
Dimensioni dell'unita SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Shock di non-funzionamento
1500 G
Vibrazione di non-funzionamento
20 G
Velocita di lettura
5000 MB/s
Velocita di scrittura
4200 MB/s
criptaggio hardware
Si
Tipo memoria
V-NAND TLC
Interfaccia
PCI Express 4.0
Componente per
Universale
Consumo energetico (inattivo)
0.06 W
Consumo di energia (in lettura)
4.9 W
Consumo di energia (in scrittura)
4.5 W
Classificazione per TBW
600
Linee dati dell'interfaccia PCI Express
x4
Revisione PCI Express CEM
4.0
Supporto S.M.A.R.T.
Si
Tensione di esercizio
3.3 V
Supporto TRIM
Si
Versione di NVMe
2.0

Riferimenti Specifici

MPN
MZ-V9E1T0BW