Samsung 990 PRO PCI Express 4.0 V-NAND MLC

CODICE MEPA: PWMZ-V9P1T0BW

92,50 €

IVA ESCLUSA

1 TB M.2 PCI Express 4.0
Velocita di lettura: 7450 MB/s 1200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Velocita di scrittura: 6900 MB/s 1550000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
V-NAND MLC NVMe 2.0
criptaggio hardware 256-bit AES
Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM
Componente per: PC

Descrizione
Dettagli del prodotto

Samsung SSD 990 PRO NVMe M.2 1TB. Capacita SSD: 1 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocita di lettura: 7450 MB/s, Velocita di scrittura: 6900 MB/s, Componente per: PC

Riferimento PWMZ-V9P1T0BW

Scheda tecnica

Capacita SSD: 1 TB
NVMe: Si
Dimensione SSD: M.2
Intervallo temperatura di funzionamento: 0 - 70 C
Larghezza: 80 mm
Altezza: 22 mm
Peso: 9 g
Profondita: 2.3 mm
Vibrazione di funzionamento: 1500 G
Durata della garanzia: 5 anno/i
Velocita di lettura: 7450 MB/s
Velocita di scrittura: 6900 MB/s
criptaggio hardware: Si
Tipo di imballo: Scatola
Algoritmi di sicurezza supportati: 256-bit AES
Tipo memoria: V-NAND MLC
Interfaccia: PCI Express 4.0
Tempo medio tra guasti (MTBF): 1500000 h
Componente per: PC
Consumo energetico (medio): 5.4 W
Lettura casuale (4KB): 1200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB): 1550000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Linee dati dell'interfaccia PCI Express: x4
Consumo energetico (max): 7.8 W
Supporto S.M.A.R.T.: Si
Tensione di esercizio: 3.3 V
Supporto TRIM: Si
Versione di NVMe: 2.0
Supporto di DevSIp (standby del dispositivo): Si
Massima temperatura di funzionamento: 70 C
Cache DDR esterna: Si
Quantita di cache DDR esterna: 1024 MB