Samsung MZ-V8P2T0BW drives allo stato solido 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
PWMZ-V8P2T0BW
147,32 €
IVA ESCLUSA
2 TB M.2 PCI Express 4.0
Velocita di lettura: 7000 MB/s 1000000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Velocita di scrittura: 5100 MB/s 1000000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
V-NAND MLC NVMe 1.3c
criptaggio hardware 256-bit AES
Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM
Componente per: PC/PC portatile
Velocita di lettura: 7000 MB/s 1000000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Velocita di scrittura: 5100 MB/s 1000000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
V-NAND MLC NVMe 1.3c
criptaggio hardware 256-bit AES
Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM
Componente per: PC/PC portatile
Samsung MZ-V8P2T0BW. Capacita SSD: 2 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocita di lettura: 7000 MB/s, Velocita di scrittura: 5100 MB/s, Componente per: PC/PC portatile
PWMZ-V8P2T0BW
Scheda tecnica
- Capacita SSD
- 2 TB
- NVMe
- Si
- Dimensione SSD
- M.2
- Intervallo temperatura di funzionamento
- 0 - 70 C
- Larghezza
- 80.2 mm
- Altezza
- 22.1 mm
- Peso
- 9 g
- Profondita
- 2.38 mm
- Shock di funzionamento
- 1500 G
- Codice del Sistema Armonizzato (SA)
- 84717070
- Velocita di lettura
- 7000 MB/s
- Velocita di scrittura
- 5100 MB/s
- criptaggio hardware
- Si
- Tipo di imballo
- Scatola
- Algoritmi di sicurezza supportati
- 256-bit AES
- Tipo memoria
- V-NAND MLC
- Interfaccia
- PCI Express 4.0
- Tempo medio tra guasti (MTBF)
- 1500000 h
- Componente per
- PC/PC portatile
- Consumo energetico (medio)
- 6.1 W
- Lettura casuale (4KB)
- 1000000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
- Scrittura casuale (4KB)
- 1000000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
- Linee dati dell'interfaccia PCI Express
- x4
- Consumo energetico (max)
- 7.2 W
- Supporto S.M.A.R.T.
- Si
- Tensione di esercizio
- 3.3 V
- Supporto TRIM
- Si
- Versione di NVMe
- 1.3c
- Massima temperatura di funzionamento
- 70 C
- Consumi (modalita stand-by)
- 0.035 W
Riferimenti Specifici
- MPN
- MZ-V8P2T0BW