Samsung MZ-VAP4T0 PCI Express 5.0 V-NAND TLC

PWMZ-VAP4T0BW
498,17 €
IVA ESCLUSA
4 TB M.2 PCI Express 5.0
Velocita di lettura: 14800 MB/s 2200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Velocita di scrittura: 13400 MB/s 2600000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
V-NAND TLC NVMe
criptaggio hardware 256-bit AES
Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM
Componente per: PC/PC portatile
Samsung 9100 PRO PCIe 5.0 NVMe M.2 SSD - 4 TB. Capacita SSD: 4 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocita di lettura: 14800 MB/s, Velocita di scrittura: 13400 MB/s, Componente per: PC/PC portatile
PWMZ-VAP4T0BW

Scheda tecnica

Intervallo temperatura di funzionamento
0 - 70 C
Larghezza
80.2 mm
Profondita
2.38 mm
Altezza
22.1 mm
Peso
9 g
Tipo di imballo
Scatola
Fattore di forma
M.2
Dimensione disco(GB)
4096
NVMe
Si
Algoritmi di sicurezza supportati
256-bit AES
Tempo medio tra guasti (MTBF)
1500000 h
Tipo memoria
V-NAND TLC
Componente per
PC/PC portatile
Interfaccia
PCI Express 5.0
Tensione di esercizio
3.3 V
Velocita di lettura
14800 MB/s
Velocita di scrittura
13400 MB/s
Supporto S.M.A.R.T.
Si
Supporto TRIM
Si
Shock di funzionamento
1500 G
Lettura casuale (4KB)
2200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB)
2600000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
criptaggio hardware
Si
Consumo energetico medio (lettura)
9 W
Consumo energetico medio (scrittura)
8.2 W

Riferimenti Specifici

MPN
MZ-VAP4T0BW